Samsung Electronics resmi memulai pengiriman sampel memori generasi terbaru HBM4E kepada sejumlah pelanggan global.
Langkah ini diambil untuk memenuhi kebutuhan infrastruktur hyperscale, pusat data, dan komputasi kecerdasan buatan (AI) generasi berikutnya.
>>> Cara Unduh Video Instagram Tanpa Aplikasi Lewat Snapgram
Raksasa teknologi asal Korea Selatan ini menjadi salah satu perusahaan pertama yang menyediakan sampel HBM4E 12-layer.
Teknologi High Bandwidth Memory 4 Enhanced tersebut dirancang khusus untuk menjalankan beban kerja AI skala besar serta model bahasa besar (LLM).
Pengembangan ini merupakan kelanjutan dari teknologi HBM4 yang telah diproduksi massal oleh Samsung pada awal tahun 2026.
Produk terbaru ini menawarkan lompatan performa yang signifikan untuk mendukung akselerator dan server AI.
Samsung mengklaim HBM4E menawarkan peningkatan performa lebih dari 20% dibandingkan dengan generasi HBM4 sebelumnya.
Kecepatan operasional stabil memori ini berada di angka 14 Gbps, dengan kemampuan mencapai kecepatan pin hingga 16 Gbps.
Bandwidth yang dihasilkan per stack mampu menyentuh hingga 3,6 terabyte per detik (TB/s).
>>> Real Madrid Siapkan Jabatan Strategis untuk Luka Modric Usai Kontrak AC Milan
Kemampuan tersebut membuat proses pemrosesan data kecerdasan buatan dapat berlangsung dengan jauh lebih cepat serta efisien.
Untuk konfigurasi awal, Samsung menghadirkan kapasitas 48GB yang mengandalkan desain 12-layer. Kapasitas ini tercatat meningkat lebih dari 30% jika dibandingkan dengan memori generasi terdahulu.
Kebutuhan pelanggan yang bervariasi akan dipenuhi melalui beberapa varian model lain. Samsung berencana meluncurkan varian 32GB dengan konfigurasi 8-layer, serta model berkapasitas 64GB yang menggunakan desain 16-layer.
Efisiensi Daya dan Teknologi Manufaktur
HBM4E diproduksi menggunakan kombinasi teknologi DRAM generasi keenam kelas 10 nanometer atau 1c DRAM milik Samsung.
Komponen tersebut kemudian dipadukan dengan logic base die 4nm dari Samsung Foundry untuk kestabilan manufaktur yang lebih baik.
Integrasi teknologi tersebut diklaim mampu mendongkrak performa keseluruhan sekaligus mengoptimalkan efisiensi energi. Konsumsi daya pada komponen memori baru ini tercatat sekitar 16% lebih hemat dibandingkan generasi sebelumnya.
Aspek pembuangan panas atau karakteristik termal juga mengalami peningkatan efisiensi lebih dari 14%.
Optimalisasi ini memastikan perangkat tetap stabil saat digunakan pada pusat data AI yang bekerja dengan beban komputasi tinggi.
>>> Spurs Hancurkan Thunder 118-91, Paksa Game 7 Final Wilayah Barat
Persaingan Pasar Memori AI Global
Langkah pengiriman sampel HBM4E ini dilakukan hanya berselang beberapa bulan setelah Samsung mendistribusikan HBM4 pada Februari 2026.
Percepatan jadwal ini menunjukkan ambisi besar perusahaan untuk memperkuat posisi di pasar memori kecerdasan buatan.
Sektor komponen mutakhir ini semakin kompetitif dengan kehadiran Micron dan dominasi kuat dari SK Hynix.
Sejumlah raksasa teknologi global seperti NVIDIA, AMD, dan Google tercatat menjadi pelanggan potensial untuk memori AI buatan Samsung.
Berdasarkan data dari Counterpoint Research, SK Hynix masih menguasai pasar HBM global dengan pangsa sekitar 57% pada akhir tahun 2025.
Sementara itu, Samsung membuntuti di posisi kedua dengan raihan 22%, disusul oleh Micron yang memegang pangsa pasar sekitar 21%.
Manajemen Samsung menyatakan bahwa proses produksi massal HBM4E akan segera berjalan setelah tahapan optimasi dan evaluasi bersama pelanggan rampung.
>>> Umat Buddha Mulai Rangkaian Waisak 2026 dengan Pengambilan Api Dharma
Keberhasilan mendapatkan sertifikasi dari pelanggan utama berpotensi menjadi kunci bagi Samsung untuk merebut kembali pangsa pasar memori AI global.
